WAFER HOLDER FOR REDUCING ELECTRIC FIELD DISTORTION NEAR WAFER EDGE

An improved system 700 is disclosed; e.g. for wafer outer portion inspection in a charged particle beam system such as a scanning electron microscope (SEM). The system uses multiple conductive electrodes, e.g. rings 710,711, around the wafer 703 to correct an e-field distortion occurring at the wafe...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	JI, Xiaoyu, REN, Weiming, GONG, Zizhou, KRUPIN, Oleg
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	An improved system 700 is disclosed; e.g. for wafer outer portion inspection in a charged particle beam system such as a scanning electron microscope (SEM). The system uses multiple conductive electrodes, e.g. rings 710,711, around the wafer 703 to correct an e-field distortion occurring at the wafer outer portion. The rings are applied with different complementary voltages VS1,VS2 in order achieve a precise compensation of the e-field distortion. Un système amélioré (700) est divulgué ; par exemple pour l'inspection de partie externe de tranche dans un système de faisceau de particules chargées tel qu'un microscope électronique à balayage (MEB). Le système utilise de multiples électrodes conductrices, par exemple des anneaux (710, 711), autour de la tranche (703) pour corriger une distorsion de champ électrique se produisant au niveau de la partie externe de tranche. Les anneaux sont appliqués avec différentes tensions complémentaires VS1, VS2 afin d'obtenir une compensation précise de la distorsion de champ électrique.