DEPOSITION OF METAL-CONTAINING FILMS AND CHAMBER CLEAN
Methods of forming a metal-containing layer on a semiconductor substrate are provided and may include performing multiple cycles of (a) co-flowing a metal-containing precursor and a reactant into a processing chamber housing the semiconductor substrate; and (b) after (a), flowing the reactant into a...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | Methods of forming a metal-containing layer on a semiconductor substrate are provided and may include performing multiple cycles of (a) co-flowing a metal-containing precursor and a reactant into a processing chamber housing the semiconductor substrate; and (b) after (a), flowing the reactant into a processing chamber housing the semiconductor substrate, wherein the reactant does not react with gas-phase metal-containing precursor. Methods of cleaning the processing chamber are also provided.
L'invention concerne des procédés de formation d'une couche contenant du métal sur un substrat semi-conducteur peuvent comprendre la réalisation de multiples cycles de (a) co-écoulement d'un précurseur contenant du métal et d'un réactif dans une chambre de traitement logeant le substrat semi-conducteur ; et (b) après (a), l'écoulement du réactif dans une chambre de traitement logeant le substrat semi-conducteur, le réactif ne réagissant pas avec le précurseur contenant du métal en phase gazeuse. L'invention concerne également des procédés de nettoyage de la chambre de traitement. |
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