METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, HYBRID BONDING INSULATING FILM FORMING MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

This method for manufacturing a semiconductor device involves: preparing a first semiconductor substrate having a first semiconductor substrate body, and a first electrode and a first organic insulating film which are provided on one surface of the first semiconductor substrate body, the first organic insulating film having a surface roughness Ra of 2.0 nm or less; preparing a second semiconductor substrate having a second semiconductor substrate body, and a second electrode and a second organic insulating film which are provided on one surface of the second semiconductor substrate body, the second organic insulating film having a surface roughness Ra of 2.0 nm or less; and performing adhesion of the first organic insulating film and the second organic insulating film at 70C or lower and performing bonding of the first electrode and the second electrode. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui consiste à : préparer un premier substrat semi-conducteur ayant un premier corps de substrat semi-conducteur, et une première électrode et un premier film isolant organique qui sont disposés sur une surface du premier corps de substrat semi-conducteur, le premier film isolant organique ayant une rugosité de surface Ra inférieure ou égale à 2,0 mm ; préparer un second substrat semi-conducteur ayant un second corps de substrat semi-conducteur, et une seconde électrode et un second film isolant organique qui sont disposés sur une surface du second corps de substrat semi-conducteur, le second film isolant organique ayant une rugosité de surface Ra inférieure ou égale à 2,0 mm ; et réaliser l'adhésion du premier film isolant organique et du second film isolant organique à 70 °C ou moins et réaliser la liaison de la première électrode et de la seconde électrode. 半導体装置の製造方法は、第１半導体基板本体と、前記第１半導体基板本体の一の面上に設けられる第１電極及び表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下の第１有機絶縁膜と、を有する第１半導体基板を準備し、第２半導体基板本体と、前記第２半導体基板本体の一の面上に設けられる第２電極及び表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下の第２有機絶縁膜と、を有する第２半導体基板を準備し、前記第１有機絶縁膜と前記第２有機絶縁膜との貼り合わせを７０℃以下で行い、前記第１電極と前記第２電極との接合を行うものである。