LIGHT-EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, ILLUMINATION DEVICE, AND MOBILE BODY

In this light-emitting device, a pixel comprising a light-emitting element and a plurality of transistors for operating the light-emitting element is disposed on a substrate, the plurality of transistors including a first transistor having a source region or a drain region connected to the light-emitting element, and a second transistor having a source region and a drain region that are not connected to the light-emitting element. A first silicide is disposed in a first diffusion region that functions as the source region or the drain region of the first transistor, and a second silicide is disposed in a second diffusion region that functions as the source region or the drain region of the second transistor. The coefficient of diffusion of a metal included in the first silicide into silicon is smaller than the coefficient of diffusion of a metal included in the second silicide into silicon. Dans le dispositif électroluminescent selon la présente invention, un pixel comprenant un élément électroluminescent et une pluralité de transistors pour faire fonctionner l'élément électroluminescent est disposé sur un substrat, la pluralité de transistors comprenant un premier transistor ayant une région de source ou une région de drain connectée à l'élément électroluminescent, et un second transistor ayant une région de source et une région de drain qui ne sont pas connectées à l'élément électroluminescent. Un premier siliciure est disposé dans une première région de diffusion qui fonctionne comme la région de source ou la région de drain du premier transistor, et un second siliciure est disposé dans une seconde région de diffusion qui fonctionne comme la région de source ou la région de drain du second transistor. Le coefficient de diffusion d'un métal compris dans le premier siliciure dans le silicium est inférieur au coefficient de diffusion d'un métal compris dans le second siliciure dans le silicium. 基板に、発光素子と、前記発光素子を動作させるための複数のトランジスタと、を含む画素が配された発光装置であって、前記複数のトランジスタは、前記発光素子に接続されたソース領域またはドレイン領域を有する第１トランジスタと、前記発光素子に接続されていないソース領域およびドレイン領域を有する第２トランジスタと、を含み、前記第１トランジスタの前記ソース領域または前記ドレイン領域として機能する第１拡散領域に、第１シリサイドが配され、前記第２トランジスタの前記ソース領域または前記ドレイン領域として機能する第２拡散領域に、第２シリサイドが配され、前記第１シリサイドに含まれる金属のシリコンへの拡散係数が、前記第２シリサイドに含まれる金属のシリコンへの拡散係数よりも小さい。