MATRIX MULTIPLICATION WITH RESISTIVE MEMORY CIRCUIT HAVING GOOD SUBSTRATE DENSITY

Configurable and reconfigurable solid state electronic devices for performing matrix multiplication are provided. The solid state electronic devices at least in part utilize a resistive non-volatile memory circuit for storing data states of a data matrix. In various embodiments, a circuit is provided to facilitate analog current-mediated matrix multiplication. In some aspects of these embodiments, a circuit is disclosed providing current multiplication modeling multi-order bit values through control of transistor gate voltage, significantly reducing silicon space of multitransistor models for multiplying current. L'invention concerne des dispositifs électroniques à semi-conducteurs configurables et reconfigurables destinés à mettre en œuvre une multiplication de matrice. Les dispositifs électroniques à semi-conducteurs utilisent au moins en partie un circuit de mémoire non volatile résistif pour stocker des états de données d'une matrice de données. Selon divers modes de réalisation, l'invention concerne un circuit destiné à faciliter une multiplication de matrice induite par un courant analogique. Selon certains aspects de ces modes de réalisation, est divulgué un circuit fournissant des valeurs binaires multi-ordres de modélisation de multiplication de courant par l'intermédiaire d'une commande de tension de grille de transistor, réduisant significativement l'espace de silicium de modèles multi-transistors pour multiplier le courant.