BIAXIALLY ORIENTED POLYESTER FILM
Provided is a biaxially oriented polyester film capable of achieving both sliding properties with respect to metal rolls and uniformity of fine wiring resist shape. A biaxially oriented polyester film configured such that at least one surface is a surface A that satisfies (1a) and (2a) when observed...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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Zusammenfassung: | Provided is a biaxially oriented polyester film capable of achieving both sliding properties with respect to metal rolls and uniformity of fine wiring resist shape. A biaxially oriented polyester film configured such that at least one surface is a surface A that satisfies (1a) and (2a) when observed using AFM with a 5-μm-square field of view under specific conditions. (1a) The number of valley regions having a height from a reference plane of −2 nm or lower ranges from 100/5 μm□ to 500/5 μm□ inclusive. (2a) The average cross-sectional area of valley regions having a height from a reference plane of −2 nm or lower ranges from 2000 nm2 to 8000 nm2 inclusive.
L'invention concerne un film de polyester biorienté susceptible d'arriver tant à des propriétés de glissement par rapport à des rouleaux métalliques qu'à une uniformité de la forme fine de réserve de câblage. Le film de polyester biorienté est conçu de façon qu'au moins une surface soit une surface A qui satisfait à (1a) et à (2a) quand on l'observe au MFA avec un champ de vision de 5-μm-carré dans des conditions spécifiques. (1a) Le nombre de creux présentant une hauteur par rapport à un plan de référence de −2 nm ou moins est compris dans la plage de 100/5 μm□ à 500/5 μm□ limites comprises. (2a) L'aire moyenne en section transversale des creux présentant une hauteur, par rapport au plan de référence, de −2 nm ou moins, est comprise dans la plage de 2 000 nm2 à 8 000 nm2 limites comprises.
金属ロールに対する滑り性と微細配線レジスト形状の均一性とを両立し得る二軸配向ポリエステルフィルムを提供すること。少なくとも一方の表面が、特定の条件にて表面を5μm角視野でAFM観察した際に、表面Aが下記(1a)及び(2a)を満たす表面Aである、二軸配向ポリエステルフィルムとする。 (1a)基準面からの高さ-2nm以下の谷領域の個数が100個/5μm□以上、500個/5μm□以下 (2a)基準面から高さ-2nm以下の谷領域の平均断面積が2000nm2以上、8000nm2以下 とする。 |
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