PROBE, PROBE CARD, AND PROBE MANUFACTURING METHOD

A probe comprises a first metal part (N) and a plate-shaped second metal part (K). The second metal part (K) is embedded in one end of the first metal part (K) in the longitudinal direction (X) thereof in a predetermined range, protrudes from the first metal part (N) in the longitudinal direction (X...

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1. Verfasser: MORI Chikaomi
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:A probe comprises a first metal part (N) and a plate-shaped second metal part (K). The second metal part (K) is embedded in one end of the first metal part (K) in the longitudinal direction (X) thereof in a predetermined range, protrudes from the first metal part (N) in the longitudinal direction (X), and has a contact section (20c) that makes contact with an electrode of a semiconductor device. A cross-section of the contact section (20c) perpendicular to the longitudinal direction (X) is circular, and a cross-section perpendicular to the longitudinal direction (X) of the end section of the second metal part (K) on the opposite side to the contact section (20c) is rectangular. L'invention concerne une sonde comprenant une première partie métallique (N) et une seconde partie métallique en forme de plaque (K). La seconde pièce métallique (K) est encastrée dans une extrémité de la première pièce métallique (K) dans la direction longitudinale (X) de celle-ci dans une plage prédéterminée, fait saillie par rapport à la première pièce métallique (N) dans la direction longitudinale (X), et possède une section de contact (20c) qui entre en contact avec une électrode d'un dispositif semi-conducteur. Une section transversale de la section de contact (20c) perpendiculaire à la direction longitudinale (X) est circulaire, et la section transversale perpendiculaire à la direction longitudinale (X) de la section d'extrémité de la seconde partie métallique (K) du côté opposé à la section de contact (20c) est rectangulaire. 第1金属部(N)と、板状の第2金属部(K)とからなり、第2金属部(K)は、第1金属部(K)の長手方向Xの一端側に、予め定められた範囲において長手方向(X)に埋め込まれると共に、第1金属部(N)から長手方向(X)に突出し、半導体デバイスの電極に接触させるコンタクト部(20c)を有し、コンタクト部(20c)の長手方向(X)に対して垂直な断面は円形であり、コンタクト部(20c)とは、長手方向(X)に反対側の第2金属部(K)の端部の、長手方向(X)に対して垂直な断面は矩形である。