SEMICONDUCTOR CHARACTERISTIC MEASUREMENT DEVICE, SEMICONDUCTOR CHARACTERISTIC MEASUREMENT METHOD, AND PROGRAM

In this semiconductor characteristic measurement device (101), a first potential difference measurement device (102) measures a first potential difference (VCE) between two connection terminals (4, 6) connected respectively to a first and a second main electrode of a power semiconductor element (2). A second potential difference measurement device (103) measures a second potential difference (VEE) between two connection terminals (6, 7) connected at different locations in a current path of a main current to or from the second main electrode. A storage device (104) stores a first relationship between the first potential difference, an element temperature, and the main current, and a second relationship between the second potential difference, the element temperature, and the main current. When an element temperature value and a main current value corresponding to a measured value of the first potential difference, as specified from the first relationship, match an element temperature value and a main current value corresponding to a measured value of the second potential difference, as specified from the second relationship, then a processing device (105) outputs the matching element temperature value and the matching main current value as the estimated values for the current point in time. L'invention concerne un dispositif de mesure de caractéristique de semi-conducteur (101) dans lequel un premier dispositif de mesure de différence de potentiel (102) mesure une première différence de potentiel (VCE) entre deux bornes de connexion (4, 6) connectées respectivement à une première et à une deuxième électrode principale d'un élément semi-conducteur de puissance (2). Un deuxième dispositif de mesure de différence de potentiel (103) mesure une deuxième différence de potentiel (VEE) entre deux bornes de connexion (6, 7) connectées à différents emplacements dans un trajet de courant d'un courant principal vers ou depuis la deuxième électrode principale. Un dispositif de stockage (104) stocke une première relation entre la première différence de potentiel, une température d'élément et le courant principal, et une deuxième relation entre la deuxième différence de potentiel, la température d'élément et le courant principal. Lorsqu'une valeur de température d'élément et une valeur de courant principal correspondant à une valeur mesurée de la première différence de potentiel, telle que spécifiée à partir de la première relation, concordent avec une valeur de températu