METHOD FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SUITABLE FOR MANUFACTURING SUBSTRATES FOR INTEGRATED CIRCUITS, AND SILICON CARBIDE OBTAINED IN THIS WAY

The invention relates to a method for manufacturing a plate made of polycrystalline SiC, doped by chemical vapour deposition on a graphite surface, wherein a gas mixture is introduced into a heated chamber so as to create a gas phase comprising: - at least one gaseous precursor of silicon and/or carbon; - at least one dopant gas comprising at least one nitrogen atom; and - a carrier gas, the gas mixture decomposing on the graphite surface to form a layer of polycrystalline SiC, and the method being characterised in that the temperature in the reactor is between 1450 K and 1650 K and the total partial pressure of the gaseous precursors is less than 350 mbar. The plate is characterised in that: (i) the texture coefficient C422 thereof is less than 30%, and (ii.a) the texture coefficient C220 thereof is greater than 60%, or (ii.b) the sum of the texture coefficients C111+C222+C511 is greater than 70%. Procédé de fabrication d'une plaque en SiC polycristallin dopée par dépôt chimique en phase vapeur sur une surface en graphite, dans lequel on introduit dans une enceinte chauffée un mélange de gaz de manière à créer une phase gazeuse comprenant : - au moins un précurseur gazeux de silicium et/ou de carbone, - au moins un gaz dopant comprenant au moins un atome d'azote, - un gaz porteur, ledit mélange de gaz se décomposant sur la surface en graphite pour former une couche de SiC polycristallin, et ledit procédé étant caractérisé en ce que la température dans le réacteur est comprise entre 1450 K et 1650 K et la pression partielle totale desdits précurseurs gazeux est inférieure à 350 mbar. Ladite plaque est caractérisée en ce que : (i) son coefficient de texture C422 est inférieur à 30 %, et (ii.a) son coefficient de texture C220 est supérieur à 60 %, ou (ii.b) la somme des coefficients de texture C111+C222+C511 est supérieure à 70 %.