LOW TEMPERATURE N-TYPE CONTACT EPI FORMATION

Methods for forming a semiconductor structure and semiconductor structures are described. The method comprises non-selectively depositing an amorphous silicon layer on a top surface and a sidewall surface of at least one contact trench on a substrate and a crystalline silicon layer on a bottom surface of the at least one contact trench at a temperature less than or equal to 400 °C, the bottom surface including a source/drain material. The amorphous silicon layer is selectively removed from the top surface and the sidewall surface at a temperature less than or equal to 400 °C. The method may be performed in a processing chamber without breaking vacuum. Des procédés de formation d'une structure semi-conductrice et des structures semi-conductrices sont décrits. Le procédé comprend le dépôt non sélectif d'une couche de silicium amorphe sur une surface supérieure et une surface de paroi latérale d'au moins une tranchée de contact sur un substrat et d'une couche de silicium cristallin sur une surface inférieure de la ou des tranchées de contact à une température inférieure ou égale à 400 °C, la surface inférieure comprenant un matériau de source/drain. La couche de silicium amorphe est sélectivement retirée de la surface supérieure et de la surface de paroi latérale à une température inférieure ou égale à 400 °C. Le procédé peut être effectué dans une chambre de traitement sans rompre le vide.