SEMICONDUCTOR DEVICE

This semiconductor device comprises: a semiconductor element; a first lead separated from the semiconductor element; a conduction member that connects the semiconductor element and the first lead; and a first joining layer that joins the first lead and the conduction member. The first lead includes...

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1. Verfasser: KONO Hiromasa
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:This semiconductor device comprises: a semiconductor element; a first lead separated from the semiconductor element; a conduction member that connects the semiconductor element and the first lead; and a first joining layer that joins the first lead and the conduction member. The first lead includes a first joining surface oriented in a first direction, and a concave section that is recessed away from the first joining surface. The conduction member includes a first joining section opposing the first joining surface, and a first protrusion that protrudes away from the first joining section. At least a part of the first joining layer is accommodated in the concave section. When viewed in the first direction, the first protrusion overlaps the first joining layer accommodated in the concave section. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend : un élément semi-conducteur ; un premier conducteur séparé de l'élément semi-conducteur ; un élément de conduction qui connecte l'élément semi-conducteur et le premier conducteur ; et une première couche de jonction qui relie le premier conducteur et l'élément de conduction. Le premier conducteur comprend une première surface de jonction orientée dans une première direction, et une section concave qui est évidée à l'opposé de la première surface de jonction. L'élément de conduction comprend une première section de jonction opposée à la première surface de jonction, et une première saillie qui fait saillie à l'opposé de la première section de jonction. Au moins une partie de la première couche de jonction est logée dans la section concave. Vue dans la première direction, la première saillie chevauche la première couche de jonction logée dans la section concave. 半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子から離れた第1リードと、前記半導体素子と前記第1リードとを導通する導通部材と、前記第1リードと前記導通部材とを接合する第1接合層とを備える。前記第1リードは、第1方向を向く第1接合面と、前記第1接合面から凹む凹部とを有する。前記導通部材は、前記第1接合面に対向する第1接合部と、前記第1接合部から突出する第1突起とを有する。前記第1接合層の少なくとも一部は、前記凹部に収容されている。前記第1方向に視て、前記第1突起は、前記凹部に収容された前記第1接合層に重なる。