ANALYSIS METHOD, ANALYSIS DEVICE, MANAGEMENT METHOD FOR CHEMICAL SOLUTION, AND MANAGEMENT METHOD FOR RESIST COMPOSITION

Provided is an analysis method capable of analysis of minute defects and reduction of measuring time, an analysis device, a management method for a chemical solution, and a management method for a resist composition. This analysis method for defects positioned on or in the interior of a semiconductor substrate comprises: a first step of setting a number of metal species to be analyzed; a second step of dividing an area to be measured of the semiconductor substrate into areas; a third step of assigning a different metal species to each of the divided areas; and a fourth step of irradiating each area with a laser, recovering an analysis sample resulting from the irradiation using a carrier gas, and performing inductively coupled plasma mass spectrometry. L'invention concerne un procédé d'analyse apte à analyser des défauts minuscules et à réduire un temps de mesure, un dispositif d'analyse, un procédé de gestion d'une solution chimique, et un procédé de gestion d'une composition de réserve. Ce procédé d'analyse de défauts positionnés sur un substrat semi-conducteur ou à l'intérieur de ce dernier comprend : une première étape de définition d'un certain nombre d'espèces métalliques à analyser ; une deuxième étape de division d'une zone à mesurer du substrat semi-conducteur en zones ; une troisième étape d'attribution d'une espèce métallique différente à chacune des zones divisées ; et une quatrième étape d'irradiation de chaque zone avec un laser, de récupération d'un échantillon d'analyse résultant de l'irradiation à l'aide d'un gaz porteur, et de réalisation d'une spectrométrie de masse à plasma à couplage inductif. 微小な欠陥の分析が可能であり、測定時間の短縮が可能な分析方法、分析装置、薬液の管理方法及びレジスト組成物の管理方法を提供する。半導体基板上又は内部に位置する欠陥の分析方法であって、分析する金属種の数を設定する工程１と、半導体基板の測定対象領域を領域分割する工程２と、領域分割された各領域に、異なる金属種を割り当てる工程３と、各領域にレーザー光を照射して、照射より得られる分析試料をキャリアガスで回収して、誘導結合プラズマ質量分析する工程４とを有する。