LOW-K DIELECTRIC PROTECTION DURING PLASMA DEPOSITION OF SILICON NITRIDE

Methods and apparatuses for depositing silicon nitride using a plasma over low-k dielectric material while protecting the low-k dielectric material are provided. The methods comprise providing a substrate having a dielectric material deposited thereon, depositing a protective layer on the dielectric...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	MCKERROW, Andrew John, BHIMARASETTI, Gopinath, GONG, Bo, GUPTA, Awnish, PETRAGLIA, Jennifer Leigh, AUSTIN, Dustin Zachary
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Methods and apparatuses for depositing silicon nitride using a plasma over low-k dielectric material while protecting the low-k dielectric material are provided. The methods comprise providing a substrate having a dielectric material deposited thereon, depositing a protective layer on the dielectric material in a plasma-free environment, and after depositing the protective layer, exposing the substrate to a first plasma to deposit a first silicon nitride while converting at least a portion of the protective layer to second silicon nitride. Procédés et appareils destinés à déposer du nitrure de silicium au moyen d'un plasma sur un matériau diélectrique à faible k tout en protégeant le matériau diélectrique à faible k. Les procédés consistent à fournir un substrat sur lequel est déposé un matériau diélectrique, à déposer une couche de protection sur le matériau diélectrique dans un environnement exempt de plasma, et après le dépôt de la couche de protection, à exposer le substrat à un premier plasma pour déposer un premier nitrure de silicium tout en convertissant au moins une partie de la couche de protection en second nitrure de silicium.