RADIO FREQUENCY SOURCE FOR INDUCTIVELY COUPLED AND CAPACITIVELY COUPLED PLASMAS IN SUBSTRATE PROCESSING CHAMBERS

A radio frequency (RF) source may be used to generate a capacitively coupled plasma to perform a plasma-based process on a substrate in a plasma processing chamber. A controller may cause the RF source and a switching element to route an RF signal to electrodes in the pedestal that generate the plasma in the processing chamber as part of a recipe performed on a substrate during etch or deposition processes. Between processes, the controller may cause the same RF source to generate a second RF signal that is instead routed by the switching element to inductive coils to generate an inductively coupled plasma for a cleaning process to remove film deposits on the interior of the plasma processing chamber. Selon l'invention, une source radiofréquence (RF) peut être utilisée pour générer un plasma à couplage capacitif pour appliquer un traitement à base de plasma à un substrat situé dans une chambre de traitement au plasma. Un dispositif de commande peut amener la source RF et un élément de commutation à acheminer un signal RF vers des électrodes situées dans le socle qui génèrent le plasma dans la chambre de traitement en tant que partie d'une recette appliquée à un substrat pendant des traitements de gravure ou de dépôt. Entre des traitements, le dispositif de commande peut amener cette même source RF à générer un second signal RF qui est plutôt acheminé par l'élément de commutation vers des bobines inductives pour générer un plasma à couplage par induction destiné à un traitement de nettoyage permettant d'éliminer des dépôts de film sur l'intérieur de la chambre de traitement au plasma.