BONDED STRUCTURE

A bonded structure in which an electronic component and a wiring substrate are bonded to each other, the bonded structure comprising, in order from the electronic component side, a first metal layer comprising a metal that forms an inter-metallic compound with Sn, an inter-metallic compound layer composed of an inter-metallic compound comprising Sn, and a second metal layer comprising Sn, wherein the thickness of the second metal layer is less than or equal to 50% of a total of the thicknesses of the first metal layer, the inter-metallic compound layer, and the second metal layer. L'invention concerne une structure liée dans laquelle un composant électronique et un substrat de câblage sont liés l'un à l'autre, la structure liée comprenant, dans l'ordre à partir du côté composant électronique, une première couche métallique comprenant un métal qui forme un composé intermétallique avec Sn, une couche de composé intermétallique composée d'un composé intermétallique comprenant Sn, et une seconde couche métallique comprenant du Sn, l'épaisseur de la seconde couche métallique étant inférieure ou égale à 50 % d'un total des épaisseurs de la première couche métallique, de la couche de composé intermétallique et de la seconde couche métallique. 接合構造は、電子部品と配線基板とを接合した接合構造であって、電子部品側から順に、Ｓｎと金属間化合物を形成する金属を含む第１の金属層と、Ｓｎを含む金属間化合物で構成される金属間化合物層と、Ｓｎを含む第２の金属層と、を備え、第２の金属層の厚みは、第１の金属層、金属間化合物層、及び第２の金属層の厚みの合計の５０％以下である。