TRANSISTOR DEVICES WITH MULTI-LAYER INTERLAYER DIELECTRIC STRUCTURES

A transistor device includes a channel region, a first source/drain region adjacent to a first end of the channel region and a second source/drain region adjacent to a second end of the channel region, a gate structure disposed on the channel region, the first source/drain region and the second source/drain region, and an interlayer dielectric (ILD) structure disposed on the gate structure. The ILD structure includes a first dielectric layer including a first set of sublayers. The first set of sublayers includes a first sublayer including a first dielectric material having a first hydrogen concentration and a second sublayer including the first dielectric material having a second hydrogen concentration lower than the first hydrogen concentration. The ILD structure further includes a second dielectric layer including a second set of sublayers. The second set of sublayers includes a third sublayer including a second dielectric material different from the first dielectric material. La présente invention concerne un dispositif de transistor qui comprend une région de canal, une première région de source/drain adjacente à une première extrémité de la région de canal et une seconde région de source/drain adjacente à une seconde extrémité de la région de canal, une structure de grille disposée sur la région de canal, la première région de source/drain et la seconde région de source/drain, et une structure diélectrique intercouche (ILD) disposée sur la structure de grille. La structure ILD comprend une première couche diélectrique comprenant un premier ensemble de sous-couches. Le premier ensemble de sous-couches comprend une première sous-couche comprenant un premier matériau diélectrique ayant une première concentration en hydrogène et une seconde sous-couche comprenant le premier matériau diélectrique ayant une seconde concentration en hydrogène inférieure à la première concentration en hydrogène. La structure ILD comprend en outre une seconde couche diélectrique comprenant un second ensemble de sous-couches. Le second ensemble de sous-couches comprend une troisième sous-couche comprenant un second matériau diélectrique différent du premier matériau diélectrique.