COVER RING TO MITIGATE CARBON CONTAMINATION IN PLASMA DOPING CHAMBER

A plasma doping system including a plasma doping chamber, a platen mounted in the plasma doping chamber for supporting a workpiece, a source of ionizable gas coupled to the chamber, the ionizable gas containing a desired dopant for implantation into the workpiece, a plasma source for producing a plasma having a plasma sheath in a vicinity of the workpiece, the plasma containing positive ions of the ionizable gas, and accelerating said positive ions across the plasma sheath toward the platen for implantation into the workpiece, a shield ring surrounding the platen and adapted to extend the plasma sheath beyond an edge of the workpiece, and a cover ring disposed on top of the shield ring and adapted to mitigate sputtering of the shield ring, wherein the cover ring comprises a crystalline base layer and a non-crystalline top layer. Système de dopage au plasma comportant une chambre de dopage au plasma, un plateau monté dans la chambre de dopage au plasma destiné à supporter une pièce, une source de gaz ionisable accouplée à la chambre, le gaz ionisable contenant un dopant souhaité pour une implantation dans la pièce, une source de plasma destinée à produire un plasma présentant une gaine de plasma à proximité de la pièce, le plasma contenant des ions positifs du gaz ionisable, et à accélérer desdits ions positifs à travers la gaine de plasma en direction du plateau pour une implantation dans la pièce, une bague de blindage entourant le plateau et conçue pour étendre la gaine de plasma au-delà d'un bord de la pièce, et une bague de couverture disposée au sommet de la bague de blindage et conçue pour atténuer la pulvérisation de la bague de blindage, la bague de couverture comprenant une couche de base cristalline et une couche supérieure non cristalline.