RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, COMPOUND, AND POLYMER COMPOUND

This resist composition, which generates an acid by being exposed to light and of which the solubility in a developer changes due to the action of the acid, contains a resin component (A1) of which the solubility in a developer changes due to the action of the acid, the resin component (A1) having a constituent unit (a0) represented by general formula (a0-1). R is a hydrogen atom, a C1-5 alkyl group, a halogen atom, or a C1-5 halogenated alkyl group. Ya0 is a single bond or a divalent linking group. Va0 is a single bond or a straight-chain or branched-chain alkylene group. Mm+ is an m-valent cation. La présente composition de réserve génère un acide lorsqu'elle est exposée à la lumière et subit un changement de solubilité dans un révélateur en raison de l'action de l'acide, et elle contient un composant de résine (A1) qui subit un changement de solubilité dans un révélateur en raison de l'action de l'acide, le composant de résine (A1) ayant un motif constitutif (a0) représenté par la formule générale (a0-1). R est un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1-5, un atome d'halogène ou un groupe alkyle halogéné en C1-5. Ya0 est une liaison simple ou un groupe de liaison divalent. Va0 est une liaison simple ou un groupe alkylène à chaîne linéaire ou ramifiée. Mm+ est un cation de valence m. 露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０－１）で表される構成単位（ａ０）を有する、レジスト組成物。Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基、ハロゲン原子、又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｙａ０は、単結合又は２価の連結基である。Ｖａ０は、単結合、又は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基である。Ｍｍ＋はｍ価のカチオンである。