INSULATION FILM FORMING MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

This insulation film forming material is for forming an insulation film through hybrid bonding, and contains: a polyimide precursor (A) which is at least one resin selected from the group consisting of polyamic acid, polyamic acid esters, polyamic acid salts, and polyamic acid amides; and a polymerizable monomer (B). The contained amount of a compound that includes a (meth)acrylic group and an alkylene oxide chain classified as the polymerizable monomer (B) is less than 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A). L'invention concerne un matériau de formation de film isolant, destiné à former un film isolant par collage hybride et contenant : un précurseur de polyimide (A) qui est au moins une résine choisie dans le groupe constitué par l'acide polyamique , les esters d'acide polyamique, les sels d'acide polyamique et les amides d'acide polyamique ; et un monomère polymérisable (B). La quantité contenue d'un composé qui comprend un groupe (méth)acrylique et une chaîne oxyde d'alkylène classé comme monomère polymérisable (B) est inférieure à 20 parties en masse pour 100 parties en masse du précurseur de polyimide (A). （Ａ）ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸塩及びポリアミド酸アミドからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であるポリイミド前駆体と、（Ｂ）重合性モノマーと、を含み、前記（Ｂ）重合性モノマーに分類されるアルキレンオキシド鎖及び（メタ）アクリル基を含む化合物の含有量は、前記（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して２０質量部未満である、ハイブリッドボンディングにより絶縁膜を形成するための絶縁膜形成材料。