METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR MULTILAYER STRUCTURE
The invention relates to a method for producing a semiconductor-on-insulator structure (1) comprising the steps of: - joining a support substrate (2) having an electrical resistivity greater than or equal to 500 Ω.cm and containing interstitial nitrogen (6) and interstitial oxygen (7), the initial c...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | The invention relates to a method for producing a semiconductor-on-insulator structure (1) comprising the steps of: - joining a support substrate (2) having an electrical resistivity greater than or equal to 500 Ω.cm and containing interstitial nitrogen (6) and interstitial oxygen (7), the initial concentration of interstitial oxygen (6) in the support substrate (2) being between 15 and 25 old ppma, and a donor substrate of a semi-conducting layer (4), an electrically insulating layer (3) being at the interface between the support substrate (2) and the donor substrate; and - transferring said semiconductor layer (4) onto the support substrate, the method further comprising a nucleation step comprising a heat treatment in order to precipitate part of the oxygen (7) and nitrogen (6) so as to form nuclei (9) of precipitates (8), and a stabilisation step comprising a heat treatment in order to grow said nuclei to a size of between 10 and 50 nm.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de type semi- conducteur sur isolant (1) comprenant : - l'assemblage d'un substrat support (2) présentant une résistivité électrique supérieure ou égale à 500 Ω.cm et contenant de l'azote interstitiel (6) et de l'oxygène interstitiel (7), la concentration initiale en oxygène interstitiel (6) dans le substrat support (2) étant comprise entre 15 et 25 old ppma, et d'un substrat donneur d'une couche semi- conductrice (4), une couche électriquement isolante (3) étant à l'interface entre le substrat support (2) et le substrat donneur, - le transfert de ladite couche semi-conductrice (4) sur le substrat support, le procédé comprenant en outre une étape de nucléation comprenant un traitement thermique pour précipiter une partie de l'oxygène (7) et de l'azote (6) de sorte à former des germes (9) de précipités (8) et une étape de stabilisation comprenant un traitement thermique pour faire croître lesdits germes jusqu'à une taille comprise entre 10 et 50 nm. |
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