SEMICONDUCTOR DEVICE

In the present invention, a second MOSFET comprises: a body region; a drain region extending in the y direction; a first well region formed away from the drain region in the x direction; a gate electrode formed on a gate insulating film and a field oxide film; a source region formed on the surface of a first well region; an exposed region formed at a position different from the source region in the first well region as viewed from the z direction; a first contact part joined to the source region; a second contact part Schottky-joined to the exposed region; a third contact part joined to the gate electrode; and source wiring that electrically interconnects the first contact part, the second contact part, and the third contact part. Dans la présente invention, un second MOSFET comprend : une région de corps ; une région de drain s'étendant dans la direction y ; une première région de puits formée à l'opposé de la région de drain dans la direction x ; une électrode de grille formée sur un film d'isolation de grille et un film d'oxyde de champ ; une région de source formée sur la surface d'une première région de puits ; une région exposée formée à une position différente de la région de source dans la première région de puits telle que vue depuis la direction z ; une première partie de contact jointe à la région de source ; une deuxième partie de contact jointe par Schottky à la région exposée ; une troisième partie de contact jointe à l'électrode de grille ; et un câblage de source qui interconnecte électriquement la première partie de contact, la deuxième partie de contact et la troisième partie de contact. 第２ＭＯＳＦＥＴは、ボディ領域と、ｙ方向に延びるドレイン領域と、ｘ方向においてドレイン領域と離隔して形成された第１ウェル領域と、ゲート絶縁膜およびフィールド酸化膜の上に形成されたゲート電極と、第１ウェル領域の表面に形成されたソース領域と、ｚ方向から視て第１ウェル領域のうちソース領域とは異なる位置に形成された露出領域と、ソース領域に接合された第１コンタクト部と、露出領域とショットキー接合された第２コンタクト部と、ゲート電極に接合された第３コンタクト部と、第１コンタクト部、第２コンタクト部、および第３コンタクト部を互いに電気的に接続するソース配線と、を備える。