ION IMPLANTATION THICK FILM RESIST COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING PROCESSED SUBSTRATE USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE USING THE SAME

[Problem] An ion implantation thick film resist composition is provided. [Means for Solution] An ion implantation thick film resist composition comprising a polymer (A) having a certain structure, a photoacid generator (B) and a solvent (C), wherein the film thickness of the resist film formed from...

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Hauptverfasser:	TAKAICHI, Tetsumasa, YANAGITA, Hiroshi, SUZUKI, Masato
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	[Problem] An ion implantation thick film resist composition is provided. [Means for Solution] An ion implantation thick film resist composition comprising a polymer (A) having a certain structure, a photoacid generator (B) and a solvent (C), wherein the film thickness of the resist film formed from the composition is 1.0 to 50 μm; and the mass average molecular weight of the polymer (A) is 5,000 to 19,000. Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition de réserve de film épais pour implantation ionique. La solution selon l'invention porte sur une composition de réserve de film épais pour implantation ionique comprenant un polymère (A) ayant une certaine structure, un générateur de photoacide (B) et un solvant (C), l'épaisseur de film du film de réserve formé à partir de la composition étant de 1,0 à 50 µm, et le poids moléculaire moyen en masse du polymère (A) étant de 5 000 à 19 000.