MEMORY DEVICE AND MEMORY CONTROL METHOD

A memory device according to one aspect of the present disclosure comprises a nonvolatile memory cell array unit, and a memory controller that controls a writing operation and reading operation with respect to the nonvolatile memory cell array unit. The memory controller controls a refreshing operation with respect to the nonvolatile memory cell array unit by using at least one of the writing operation and the reading operation. The memory controller also sets a cycle for the refreshing operation on the basis of at least one of the number of occurrences writing to and the number of occurrences reading from the nonvolatile memory cell array unit. Un dispositif de mémoire selon un aspect de la présente divulgation comprend une unité de réseau de cellules de mémoire non volatile, et un contrôleur de mémoire qui contrôle une opération d'écriture et une opération de lecture par rapport à l'unité de réseau de cellules de mémoire non volatile. Le contrôleur de mémoire contrôle une opération de rafraîchissement par rapport à l'unité de réseau de cellules de mémoire non volatile au moyen de l'opération d'écriture et/ou de l'opération de lecture. Le contrôleur de mémoire définit également un cycle pour l'opération de rafraîchissement sur la base du nombre d'occurrences d'écriture et/ou du nombre d'occurrences de lecture à partir de l'unité de réseau de cellules de mémoire non volatile. 本開示の一側面に係るメモリ装置は、不揮発性メモリセルアレイユニットと、不揮発性メモリセルアレイユニットに対する書き込み動作および読み出し動作を制御するメモリコントローラとを備えている。メモリコントローラは、書き込み動作および読み出し動作のうち少なくとも一方の動作を利用して不揮発性メモリセルアレイユニットに対するリフレッシュ動作を制御する。メモリコントローラは、さらに、不揮発性メモリセルアレイユニットに対する書き込み回数および読み出し回数のうち少なくとも一方に基づいて、リフレッシュ動作の周期を設定する。