EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DIODE

Es wird eine kantenemittierende Halbleiterlaserdiode angegeben, aufweisend: - ein Substrat (1) mit einer ersten Hauptfläche (6) und einer der ersten Hauptfläche (6) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (7), - einen epitaktischen Halbleiterschichtenstapel (2) auf der ersten Hauptfläche (6) des Subs...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	HEIDEMANN, Matthias, EICHLER, Christoph
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS DEVICES USING STIMULATED EMISSION ELECTRICITY
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

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