EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DIODE

Es wird eine kantenemittierende Halbleiterlaserdiode angegeben, aufweisend: - ein Substrat (1) mit einer ersten Hauptfläche (6) und einer der ersten Hauptfläche (6) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (7), - einen epitaktischen Halbleiterschichtenstapel (2) auf der ersten Hauptfläche (6) des Substrats (1), wobei der epitaktische Halbleiterschichtenstapel (2) eine aktive Schicht (3) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung umfasst, - eine Anpassschicht (4), die auf der zweiten Hauptfläche (7) des Substrats (1) angeordnet ist, und - eine Absorptionsschicht (5), die direkt auf der Anpassschicht (4) aufgebracht und dazu eingerichtet ist, die elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise zu absorbieren, wobei - das Substrat (1) und die Anpassschicht (4) transparent für im Betrieb erzeugte elektromagnetische Strahlung sind, und - die Anpassschicht (4) dazu eingerichtet ist, die Absorption von elektromagnetischer Strahlung in der Absorptionsschicht (5) zu erhöhen. The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser diode comprising: - a substrate (1) having a first main face (6) and a second main face (7) opposite the first main face (6), - an epitaxial semiconductor layer stack (2) on the first main face (6) of the substrate (1), wherein the epitaxial semiconductor layer stack (2) comprises an active layer (3) for generating electromagnetic radiation, - a matching layer (4) arranged on the second main face (7) of the substrate (1), and - an absorption layer (5) applied directly to the matching layer (4) and configured to at least partially absorb the electromagnetic radiation, wherein - the substrate (1) and the matching layer (4) are transparent to electromagnetic radiation generated during operation, and - the matching layer (4) is configured to increase the absorption of electromagnetic radiation in the absorption layer (5). L'invention concerne une diode laser à semi-conducteur à émission latérale comprenant : - un substrat (1) ayant une première face principale (6) et une seconde face principale (7) opposée à la première face principale (6),-un empilement de couches semi-conductrices épitaxiales (2) sur la première face principale (6) du substrat (1), l'empilement de couches semi-conductrices épitaxiales (2) comprenant une couche active (3) pour générer un rayonnement électromagnétique,- une couche d'adaptation (4) disposée sur la seconde face principale (7) du substrat (1), et- une couche d'absorption (5) appliquée directement à la couch