HIGH PRESSURE INERT OXIDATION AND IN-SITU ANNEALING PROCESS TO IMPROVE FILM SEAM QUALITY AND WER

Methods of filling a gap with a dielectric material including using an inhibition plasma during deposition. The inhibition plasma increases a nucleation barrier of the deposited film. The inhibition plasma selectively interacts near the top of the feature, inhibiting deposition at the top of the feature compared to the bottom of the feature, enhancing bottom-up fill. A process chamber may have multiple pressure switches to enable a process after deposition at a higher pressure than the pressure during deposition. L'invention concerne des procédés de remplissage d'un espace avec un matériau diélectrique consistant à utiliser un plasma inhibiteur pendant le dépôt. Le plasma inhibiteur augmente une barrière de nucléation du film déposé. Le plasma inhibiteur interagit sélectivement à proximité de la partie supérieure de l'élément, inhibant le dépôt au sommet de l'élément par rapport au fond de l'élément, améliorant le remplissage de bas en haut. Une chambre de traitement peut avoir de multiples commutateurs de pression pour permettre un processus après dépôt à une pression supérieure à la pression pendant le dépôt.