METHODS TO REDUCE UNCD FILM ROUGHNESS

Hard masks and methods of forming hard masks are described. The hard mask has an average roughness less than 10 nm and a modulus greater than or equal to 400 GPa. The method comprises exposing a substrate to a deposition gas comprising a dopant gas or a precursor (solid (e.g. Alkylborane compounds) or liquid (e.g. Borazine)), a carbon gas and argon at a temperature less than or equal to 550 C, and igniting a plasma from the deposition gas to form an ultrananocrystalline diamond film having an average roughness less than 10 nm and a modulus greater than or equal to 400 GPa. L'invention concerne des masques durs et des procédés de formation de masques durs. Le masque dur a une rugosité moyenne inférieure à 10 nm et un module supérieur ou égal à 400 GPa. Le procédé consiste à exposer un substrat à un gaz de dépôt comprenant un gaz dopant ou un précurseur (solide (des composés alkylborane, par exemple) ou liquide (de la borazine, par exemple)), un gaz de carbone et de l'argon à une température inférieure ou égale à 550 C, et à allumer un plasma à partir du gaz de dépôt pour former un film de diamant ultra-nanocristallin ayant une rugosité moyenne inférieure à 10 nm et un module supérieur ou égal à 400 GPa.