GATE ALL AROUND BACKSIDE POWER RAIL FORMATION WITH MULTI-COLOR BACKSIDE DIELECTRIC ISOLATION SCHEME

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same are described. The method includes forming distinct and separate bottom dielectric isolation layers underneath the source/drain and underneath the gate of a gate all around device. Selectively remove of the bottom dielectric isolation layer underneath the source/drain results in better backside power rail (BPR) via alignment to the source/drain epi and reduces reliability and gate-shorting problems. L'invention concerne des dispositifs à semi-conducteur et des procédés de fabrication de ceux-ci. Le procédé comprend la formation de couches d'isolation diélectriques inférieures distinctes et séparées sous la source/le drain et sous la grille d'une grille tout autour du dispositif. Le retrait sélectif de la couche d'isolation diélectrique inférieure sous la source/drain entraîne un meilleur rail d'alimentation côté arrière (BPR) par l'intermédiaire d'un alignement à la source/drain epi et réduit les problèmes de fiabilité et de court-circuit de grille.