SEMICONDUCTOR DEVICE AND PACKAGE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device according to the present invention is provided with a semiconductor element which has a first electrode, a second electrode and a third electrode, wherein the conduction states of the first electrode and the third electrode are controlled by means of the voltage application state of the second electrode. This semiconductor device is additionally provided with a first lead that is electrically connected to the first electrode, a second lead that is electrically connected to the second electrode, a third lead that is electrically connected to the third electrode, a fourth lead, and a sealing resin that covers at least the semiconductor element. The third lead is exposed from the sealing resin to the opposite side in the thickness direction. The fourth lead is bonded to the semiconductor element, while being exposed from the sealing resin to the opposite side in the thickness direction. The semiconductor element has a switching function part. The impedance of the path from the switching function part to the fourth lead is higher than the impedance of the path from the switching function part to the third lead. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur pourvu d'un élément semi-conducteur qui a une première électrode, une deuxième électrode et une troisième électrode, les états de conduction de la première électrode et de la troisième électrode étant commandés au moyen de l'état d'application de tension de la deuxième électrode. Ce dispositif à semi-conducteur est en outre pourvu d'un premier conducteur qui est électriquement connecté à la première électrode, d'un deuxième conducteur qui est électriquement connecté à la deuxième électrode, d'un troisième conducteur qui est électriquement connecté à la troisième électrode, d'un quatrième conducteur et d'une résine d'étanchéité qui recouvre au moins l'élément semi-conducteur. Le troisième conducteur est exposé depuis la résine d'étanchéité jusq'au côté opposé dans la direction de l'épaisseur. Le quatrième conducteur est lié à l'élément semi-conducteur, tout en étant exposé depuis la résine d'étanchéité jusqu'au côté opposé dans la direction de l'épaisseur. L'élément semi-conducteur comporte une partie à fonction de commutation. L'impédance du trajet depuis de la partie jusqu'à la fonction de commutation au quatrième conducteur est supérieure à l'impédance du trajet allant depuis la partie à fonction de commutation jusqu'au troisième conducteur. 半導体装置は、第１電極、第２電極および第３電極を有し、前記第２電極への