STACKED ACOUSTIC WAVE (AW) FILTER PACKAGES, INCLUDING CROSS-TALK REDUCTION LAYERS, AND RELATED FABRICATION METHODS
A stacked AW filter package (200) includes a first substrate (204) stacked on a second substrate. The first substrate has a first AW filter circuit (202) on first surface (212) and a metal layer (210) on a second surface. The second substrate has a second AW filter circuit (206) disposed in a cavity...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | A stacked AW filter package (200) includes a first substrate (204) stacked on a second substrate. The first substrate has a first AW filter circuit (202) on first surface (212) and a metal layer (210) on a second surface. The second substrate has a second AW filter circuit (206) disposed in a cavity between the metal layer (210) of the first substrate (204) and a third surface of the second substrate. The metal layer (210) is coupled to the second AW filter circuit (206) by a metal interconnect (230a) formed in a metallization layer on a side surface of the first substrate. The metal layer (210) provides isolation to reduce cross-talk (e.g., electromagnetic interference) within the stacked AW filter package (200) between the first AW filter circuit (202) and the second AW filter circuit (206). Including the metal layer (210) in the stacked AW filter package (200) improves signal quality of transmitted and received signals filtered in the first and second AW filter circuits (202,206).
La présente divulgation concerne un boîtier de filtres AW empilés (200) qui comprend un premier substrat (204) empilé sur un deuxième substrat. Le premier substrat comporte un premier circuit de filtre AW (202) sur une première surface (212) et une couche métallique (210) sur une deuxième surface. Le deuxième substrat comporte un deuxième circuit de filtre AW (206) disposé dans une cavité entre la couche métallique (210) du premier substrat (204) et une troisième surface du deuxième substrat. La couche métallique (210) est couplée au deuxième circuit de filtre AW (206) par une interconnexion métallique (230a) formée dans une couche de métallisation sur une surface latérale du premier substrat. La couche métallique (210) fournit une isolation pour réduire la diaphonie (par exemple, une interférence électromagnétique) à l'intérieur du boîtier de filtres AW empilés (200) entre le premier circuit de filtre AW (202) et le deuxième circuit de filtre AW (206). Inclure la couche métallique (210) dans le boîtier de filtre AW empilés (200) améliore la qualité de signal des signaux transmis et reçus filtrés dans les premier et deuxième circuits de filtre AW (202, 206). |
---|