METHOD FOR IMPROVING HARDNESS OF FIRED PRODUCT

[Problem] An objective of the present invention is to provide: a method for improving the hardness of a fired product that is to serve as a resist underlayer film for use in a lithography process for semiconductor device manufacturing using a novolac resin; a fired product having improved hardness that can suppress pattern bending during etching; a method for manufacturing a resist underlayer film in which the fired product serves as the resist underlayer film; and a method for manufacturing a semiconductor device. [Solution] A method for improving the hardness of a fired product with which, by firing a composition having a compound containing one or more structures represented by formula (1) at 400°C to 600°C in an inert gas atmosphere, the hardness of the obtained fired product is increased by 10% or more relative to the hardness of the fired product obtained at 350°C in an air atmosphere. A fired product obtained by said method. A method for manufacturing a resist underlayer film including a step for forming, on a semiconductor substrate, a resist underlayer film comprising the fired product. A method for manufacturing a semiconductor device. (In the formula, * represents a bond.) La présente invention vise à fournir: un procédé pour améliorer la dureté d'un produit cuit qui doit agir comme un film de sous-couche de réserve pour une utilisation dans un procédé de lithographie pour la fabrication de dispositif semi-conducteur au moyen d'une résine novolaque; un produit cuit ayant une dureté améliorée qui peut supprimer la déformation de motif pendant la gravure; un procédé de fabrication d'un film de sous-couche de réserve dans lequel le produit cuit sert de film de sous-couche de réserve; et un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur. À cet effet, l'invention concerne un procédé d'amélioration de la dureté d'un produit cuit avec lequel, par cuisson d'une composition ayant un composé contenant une ou plusieurs structure(s) représentée(s) par la formule (1) à une température entre 400 °C et 600 °C sous une atmosphère de gaz inerte, la dureté du produit cuit obtenu est augmentée par au moins 10% par rapport à la dureté du produit cuit obtenu à 350°C dans une atmosphère d'air. L'invention concerne également un produit cuit obtenu par ledit procédé. Un procédé de fabrication d'un film de sous-couche de réserve comprenant une étape de formation, sur un substrat semi-conducteur, d'un film de sous-couche de réserve comprenant le produit cuit. L'i