SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT COMPRISING A SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH AT LEAST ONE CONNECTION ELEMENT

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung (2) aufweisend ein Halbleiterelement (4) mit zumindest einem Anschlusselement (6), wobei zumindest ein metallisches Kontaktierungselement (10), flächig mit dem zumindest einen Anschlusselement (6) des Halbleiterelements (4) verbunden ist. Um eine Leben...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	WAGNER, Claus Florian, STEGMEIER, Stefan, WOITON, Michael, HENSEL, Alexander
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung (2) aufweisend ein Halbleiterelement (4) mit zumindest einem Anschlusselement (6), wobei zumindest ein metallisches Kontaktierungselement (10), flächig mit dem zumindest einen Anschlusselement (6) des Halbleiterelements (4) verbunden ist. Um eine Lebensdauer der Halbleiteranordnung (2) zu erhöhen, wird vorgeschlagen, dass das zumindest eine metallische Kontaktierungselement (10) durch Aufsprühen auf das Halbleiterelement (4) mittels eines thermischen Spritzverfahrens hergestellt ist, wobei das metallische Kontaktierungselement (10) Partikel (P1, P2) umfasst, welche eine texturierte Schicht (12) ausbilden. The invention relates to a semiconductor arrangement (2) comprising a semiconductor element (4) with at least one connection element (6), wherein at least one metallic contacting element (10) is connected over its surface area to the at least one connection element (6) of the semiconductor element (4). To extend the lifetime of the semiconductor arrangement (2), it is proposed that the at least one metallic contacting element (10) is produced by being sprayed onto the semiconductor element (4) by means of a thermal spraying process, wherein the metallic contacting element (10) comprises particles (P1, P2) which form a textured layer (12). La présente invention concerne un ensemble à semi-conducteur (2) comprenant un élément à semi-conducteur (4) pourvu d'au moins un élément de connexion (6), au moins un élément de contact métallique (10) étant relié audit au moins un élément de connexion (6) de l'élément à semi-conducteur (4) en étant appliqué à plat. Le but de l'invention est d'augmenter la durée de vie de l'ensemble à semi-conducteur (2). À cet effet, ledit au moins un élément de contact métallique (10) est fabriqué par dépôt par projection sur l'élément à semi-conducteur (4) au moyen d'un procédé de projection thermique, ledit élément de contact métallique (10) comprenant des particules (P1, P2) qui forment une couche texturée (12).