METHOD OF MOLDING A PIEZOELECTRIC PILLAR DEVICE
A piezoelectric device (100) is manufactured using a substrate (20) with a piezoelectric moldable layer (10). A stamp (30) comprises a repeating pattern of unit cells (30u) formed by a grid of interconnected sidewalls (32) separating respective apertures (31). A molding process comprises pushing (F)...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A piezoelectric device (100) is manufactured using a substrate (20) with a piezoelectric moldable layer (10). A stamp (30) comprises a repeating pattern of unit cells (30u) formed by a grid of interconnected sidewalls (32) separating respective apertures (31). A molding process comprises pushing (F) the stamp (30) into the moldable layer (10). This causes the piezoelectric material (M) to be pushed into the respective apertures (31) and form an array of pillars (11). In the stamp, the fraction of open area (A31), formed by a respective aperture (31), is more than the fraction of solid area (A32), formed by the surrounding sidewalls (32). In the resulting pillar structure the fraction of active area (A11), formed by the pillars (11) is more than the fraction of inactive area (A12) between the pillars (11). The stamp (30) can be adapted to improve structural integrity while using relatively thin sidewalls (32).
La présente invention concerne un dispositif piézoélectrique (100) qui est fabriqué à l'aide d'un substrat (20) avec une couche moulable piézoélectrique (10). Un tampon (30) comprend un motif répétitif de cellules unitaires (30u) formées par une grille de parois latérales interconnectées (32) séparant des ouvertures respectives (31). Un procédé de moulage consiste à pousser (F) le tampon (30) dans la couche moulable (10). Ceci amène le matériau piézoélectrique (M) à être poussé dans les ouvertures respectives (31) et à former un réseau de piliers (11). Dans le tampon, la fraction de zone ouverte (A31), formée par une ouverture respective (31), est supérieure à la fraction de zone solide (A32), formée par les parois latérales environnantes (32). Dans la structure de pilier résultante, la fraction de zone active (A11), formée par les piliers (11), est supérieure à la fraction de zone inactive (A12) entre les piliers (11). Le tampon (30) peut être conçu pour améliorer l'intégrité structurelle tout en utilisant des parois latérales relativement minces (32). |
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