SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

A semiconductor laser element (1) comprises: a substrate (10); and a semiconductor laminate structure (20) which is formed on one surface of the substrate (10) and in which a plurality of semiconductor layers are laminated. The semiconductor laminate structure (20) has an optical waveguide extending along the resonator-length direction of the semiconductor laser element (1). On the other surface of the substrate (10), a pair of first grooves (51) are formed extending along the resonator-length direction so as to cut out portions of a pair of side surfaces of the semiconductor laser element (1). Both end parts, of the pair of first grooves (51) in the resonator-length direction, are located at positions retreated from each of end surfaces of the semiconductor laminate structure (20). In the semiconductor laminate structure (20), second grooves (52) are formed from the end surface of the semiconductor laminate structure (20) along the resonator-length direction. The second grooves (52) are, in a top view, formed on both sides of the optical waveguide and are formed between the optical waveguide and the first grooves (51). La présente invention concerne un élément laser à semi-conducteurs (1) qui comprend : un substrat (10); et une structure stratifiée semi-conductrice (20) qui est formée sur une surface du substrat (10) et dans laquelle une pluralité de couches semi-conductrices sont stratifiées. La structure stratifiée semi-conductrice (20) comprend un guide d'ondes optique qui s'étend le long de la direction de la longueur du résonateur de l'élément laser à semi-conducteurs (1). Sur l'autre surface du substrat (10), une paire de premières rainures (51) sont formées le long de la direction de la longueur du résonateur de manière à découper des parties d'une paire de surfaces latérales de l'élément laser à semi-conducteurs (1). Les deux parties d'extrémité de la paire de premières rainures (51) dans la direction de la longueur du résonateur sont situées à des positions en retrait par rapport aux surfaces d'extrémité de la structure stratifiée semi-conductrice (20). Dans la structure stratifiée semi-conductrice (20), des secondes rainures (52) sont formées à partir de la surface d'extrémité de la structure stratifiée semi-conductrice (20) le long de la direction de la longueur du résonateur. Les secondes rainures (52) sont, en vue du dessus, formées sur les deux côtés du guide d'ondes optique et sont formées entre le guide d'ondes optique et les premières rai