SEMICONDUCTOR DEVICE

This semiconductor device comprises: a substrate; a source electrode extending in a first direction and provided on the substrate; a drain electrode extending in the first direction and provided on the substrate; a first gate electrode extending in the first direction and provided on the substrate between the source electrode and the drain electrode; a second gate electrode extending in the first direction and provided on the substrate in the first direction of the first gate electrode between the source electrode and the drain electrode; a gate pad provided so as to sandwich the first gate electrode with the second gate electrode, and electrically connected to the first gate electrode; a gate wire provided on the upper side of the source electrode opposite the substrate, extending in the first direction, and electrically connecting the gate pad and the second gate electrode; and a guard metal layer provided between the gate wire and the drain electrode, extending in the first direction, having at least a part thereof provided over the source electrode, and electrically connected to the source electrode. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend : un substrat; une électrode de source s'étendant dans une première direction et disposée sur le substrat; une électrode de drain s'étendant dans la première direction et disposée sur le substrat; une première électrode de grille s'étendant dans la première direction et disposée sur le substrat entre l'électrode de source et l'électrode de drain; une seconde électrode de grille s'étendant dans la première direction et disposée sur le substrat dans la première direction de la première électrode de grille entre l'électrode de source et l'électrode de drain; un tampon de grille disposé de manière à prendre en sandwich la première électrode de grille avec la seconde électrode de grille, et connecté électriquement à la première électrode de grille; un fil de grille disposé sur la face supérieure de l'électrode de source opposée au substrat, s'étendant dans la première direction, et connectant électriquement le tampon de grille et la seconde électrode de grille; et une couche métallique de garde disposée entre le fil de grille et l'électrode de drain, s'étendant dans la première direction, dont au moins une partie est disposée au-dessus de l'électrode de source, et connectée électriquement à l'électrode de source. 半導体装置は、基板と、第１の方向に延伸し、基板上に設けられたソース電極と、第１の方向に延伸し、基板上に設けられたドレイン電極と、第１の方向に延伸