DRIVING DEVICE OF SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT AND POWER CONVERSION DEVICE

The present invention adjusts the surge voltage of a switching element to a prescribed value or lower while reducing switching loss in accordance with an operation condition. The present invention comprises a gate driving circuit part 11 that drives a semiconductor switching element 101 and a feedback current control part 12 that applies, to a gate G of the semiconductor switching element 101, a feedback current which is calculated by multiplying the rate of change of electricity applied by the gate driving circuit part 11 to the semiconductor switching element 101 by a prescribed gain, wherein: the rate of change of electricity is the rate of change over time of the voltage and/or current applied to the semiconductor switching element 101; and the feedback current control part 12 adjusts the surge voltage of the semiconductor switching element 101 by changing the gain in accordance with an operation condition of the semiconductor switching element 101. La présente invention ajuste la surtension transitoire d'un élément de commutation à une valeur prescrite ou en dessous tout en réduisant la perte de commutation selon une condition de fonctionnement. La présente invention comprend une partie circuit d'attaque de grille 11 qui pilote un élément de commutation à semi-conducteur 101, et une partie de régulation par courant de rétroaction 12 qui applique, à une grille G de l'élément de commutation à semi-conducteur 101, un courant de rétroaction qui est calculé en multipliant par un gain prescrit la vitesse de variation d'une grandeur électrique appliquée par la partie circuit d'attaque de grille 11 à l'élément de commutation à semi-conducteur 101, la vitesse de variation de la grandeur électrique étant la vitesse de variation temporelle de la tension et/ou du courant appliqués à l'élément de commutation à semi-conducteur 101 ; et la partie de régulation par courant de rétroaction 12 ajustant la surtension transitoire de l'élément de commutation à semi-conducteur 101 par modification du gain selon une condition de fonctionnement de l'élément de commutation à semi-conducteur 101. スイッチング素子のサージ電圧を規定値以下に調整しつつ、動作条件に応じてスイッチング損失を低減する。半導体スイッチング素子１０１を駆動するゲート駆動回路部１１と、ゲート駆動回路部１１が半導体スイッチング素子１０１に印加する電気の変化率に所定の利得を乗じて算出した帰還電流を半導体スイッチング素子１０１のゲートＧに印加する帰還電流制御部１２と、を備え、電気の変化率は半導体スイッチング素子１０１に印加される電圧又は電流の少なくとも一方の時間変化率であり、帰還電流制御部１２は、利得を半導体スイッチング素子１０１の動作条件に応じて変化させることによって半導体スイッチング素子１０１のサージ電圧を調整する。