NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

A nitride-based semiconductor circuit including a first semiconductor substrate, a second semiconductor substrate, a nitride-based heterostructure, connectors, a first patterned conductive layer, a second patterned conductive layer, and connecting vias is provided. The second substrate is disposed o...

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Hauptverfasser: GAO, Wuhao, ZHAO, Qiyue
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A nitride-based semiconductor circuit including a first semiconductor substrate, a second semiconductor substrate, a nitride-based heterostructure, connectors, a first patterned conductive layer, a second patterned conductive layer, and connecting vias is provided. The second substrate is disposed on the first substrate. The first substrate has first dopants, and the second substrate has second dopants, which is different from the first dopants, and a pn junction is formed between the first substrate and the second substrate. The nitride-based heterostructure is disposed on the second substrate. The connectors are disposed on the nitride-based heterostructure. The first and second patterned conductive layers are disposed on the connectors. The connecting vias include a first interconnection and a second interconnection. The first interconnection electrically connects the first substrate to one of the connectors. The second interconnection electrically connects the second substrate to another one of the connectors. Circuit à semi-conducteurs à base de nitrure comprenant un premier substrat semi-conducteur, un second substrat semi-conducteur, une hétérostructure à base de nitrure, des connecteurs, une première couche conductrice à motifs, une seconde couche conductrice à motifs et des trous d'interconnexion de connexion. Le second substrat est disposé sur le premier substrat. Le premier substrat comporte des premiers dopants, et le second substrat comporte des seconds dopants, qui sont différents des premiers dopants, et une jonction pn est formée entre le premier substrat et le second substrat. L'hétérostructure à base de nitrure est disposée sur le second substrat. Les connecteurs sont disposés sur l'hétérostructure à base de nitrure. Les première et seconde couches conductrices à motifs sont disposées sur les connecteurs. Les trous d'interconnexion de connexion comprennent une première interconnexion et une seconde interconnexion. La première interconnexion connecte électriquement le premier substrat à l'un des connecteurs. La seconde interconnexion connecte électriquement le second substrat à un autre des connecteurs.