ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING SYSTEMS HAVING PAIRED DEPOSITION CHAMBERS FOR ENHANCED DEPOSITION UNIFORMITY
A system includes a first deposition chamber having a unidirectional crossflow design to provide a first process gas flow that proceeds in a first direction from a first section of the first deposition chamber located at a first end of the first deposition chamber to a second section of the first de...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A system includes a first deposition chamber having a unidirectional crossflow design to provide a first process gas flow that proceeds in a first direction from a first section of the first deposition chamber located at a first end of the first deposition chamber to a second section of the first deposition chamber located at a second end of the first deposition chamber opposite the first end of the first deposition chamber. The system further includes a second deposition chamber having a mirrored unidirectional crossflow design relative to the first deposition chamber to provide a second process gas flow that proceeds in a second direction opposite the first direction from a first section of the second deposition chamber located at a first end of the second deposition chamber to a second section of the second deposition chamber located at a second end of the second deposition chamber opposite the first end of the second deposition chamber. The second end of the first deposition chamber is proximate to the second end of the second deposition chamber.
Un système selon la présente invention comprend une première chambre de dépôt ayant une conception de flux transversal unidirectionnelle pour fournir un premier flux de gaz de traitement qui avance dans une première direction à partir d'une première section de la première chambre de dépôt située au niveau d'une première extrémité de la première chambre de dépôt vers une seconde section de la première chambre de dépôt située au niveau d'une seconde extrémité de la première chambre de dépôt opposée à la première extrémité de la première chambre de dépôt. Le système comprend en outre une seconde chambre de dépôt ayant une conception de flux transversal unidirectionnelle en miroir par rapport à la première chambre de dépôt pour fournir un second flux de gaz de traitement qui avance dans une seconde direction opposée à la première direction à partir d'une première section de la seconde chambre de dépôt située au niveau d'une première extrémité de la seconde chambre de dépôt vers une seconde section de la seconde chambre de dépôt située au niveau d'une seconde extrémité de la seconde chambre de dépôt opposée à la première extrémité de la seconde chambre de dépôt. La seconde extrémité de la première chambre de dépôt est proche de la seconde extrémité de la seconde chambre de dépôt. |
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