METHOD FOR FORMING MULTI-DEPTH OPTICAL DEVICES

An optical device and a method of forming an optical device having multi-depth optical device structures with a refractive index greater than or equal to 2.0 are provided. The optical devices and method include forming first matrix stack structures and second matrix stack structures. Adjacent first...

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Hauptverfasser: MEYER TIMMERMAN THIJSSEN, Rutger, CHEN, Guannan
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:An optical device and a method of forming an optical device having multi-depth optical device structures with a refractive index greater than or equal to 2.0 are provided. The optical devices and method include forming first matrix stack structures and second matrix stack structures. Adjacent first matrix stack structures form first vias having a first depth and adjacent second matrix stack structures form second vias having a second depth. The first depth of the first vias being different than the second depth of the second vias provides from the formation of submicron, multi-depth optical device structures when the vias are backfilled with a device material. L'invention concerne un dispositif optique et un procédé de formation d'un dispositif optique ayant des structures de dispositif optique à profondeurs multiples avec un indice de réfraction supérieur ou égal à 2,0. Les dispositifs optiques et le procédé incluent la formation de premières structures d'empilement de matrices et de secondes structures d'empilement de matrices. Des premières structures d'empilement de matrices adjacentes forment des premiers trous d'interconnexion ayant une première profondeur et des secondes structures d'empilement de matrices adjacentes forment des seconds trous d'interconnexion ayant une seconde profondeur. Le fait que la première profondeur des premiers trous d'interconnexion soit différente de la seconde profondeur des seconds trous d'interconnexion permet la formation de structures de dispositif optique à profondeurs multiples submicroniques lorsque les trous d'interconnexion sont remplis d'un matériau de dispositif.