PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT

Provided is an inverted structure photoelectric conversion element having high conversion efficiency. A photoelectric conversion element (1) according to the present disclosure has disposed therein, in order, a first conductive layer (11) having light transmittance, a hole transport layer (12), a light-absorbing layer (13) represented by the empirical formula AgaBibIc, an electron transport layer (14), and a second conductive layer (16). In the empirical formula, the composition ratio of a, b, and c satisfies c=a+3b and 2≤b/a≤4. Light that is incident through the first conductive layer (11) is photoelectrically converted. L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique à structure inversée ayant une efficacité de conversion élevée. Sont disposées au sein d'un élément de conversion photoélectrique (1) selon la présente divulgation, dans l'ordre, une première couche conductrice (11) ayant une transmittance de lumière, une couche de transport de trous (12), une couche d'absorption de lumière (13) représentée par la formule empirique AgaBibIc, une couche de transport d'électrons (14) et une seconde couche conductrice (16). Dans la formule empirique, le rapport de composition de a, b et c satisfait les relations c = a + 3b et 2 ≤ b/a ≤ 4. La lumière qui est incidente à travers la première couche conductrice (11) est convertie de manière photoélectrique. 変換効率の高い逆構造型光電変換素子を提供する。本開示に係る光電変換素子（１）は、光透過性を有する第１導電層（１１）と、正孔輸送層（１２）と、組成式ＡｇaＢｉbＩcで示される光吸収層（１３）と、電子輸送層（１４）と、第２導電層（１６）と、がこの順に配置され、組成式において、組成比ａ、ｂ及びｃは、ｃ＝ａ＋３ｂ、及び２≦ｂ／ａ≦４を満たし、第１導電層（１１）を通して入射する光を光電変換する。