3D VOLUME INSPECTION OF SEMICONDUCTOR WAFERS WITH INCREASED ACCURACY

A system and a method for volume inspection of semiconductor wafers with increased throughput is provided. The system and method are configured for a milling and imaging of reduced number or areas of appropriate cross-sections surfaces in an inspection volume and determining inspection parameters of...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	NEUMANN, Jens Timo, KORB, Thomas, KLOCHKOV, Dmitry, BUXBAUM, Alex, AVISHAI, Amir, FOCA, Eugen, HUYNH, Chuong
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CALCULATING CINEMATOGRAPHY COMPUTING COUNTING ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MATERIALS THEREFOR MEASURING ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A system and a method for volume inspection of semiconductor wafers with increased throughput is provided. The system and method are configured for a milling and imaging of reduced number or areas of appropriate cross-sections surfaces in an inspection volume and determining inspection parameters of the 3D objects from the cross-section surface images. The method and device can be utilized for quantitative metrology, defect detection, process monitoring, defect review, and inspection of integrated circuits within semiconductor wafers. La présente invention concerne un système et un procédé d'inspection de volume de tranches de semi-conducteur avec un débit accru. Le système et le procédé sont configurés pour un fraisage et une imagerie d'un nombre réduit ou de zones de surfaces transversales appropriées dans un volume d'inspection et la détermination de paramètres d'inspection des objets 3D à partir des images de surface transversale. Le procédé et le dispositif peuvent être utilisés pour la métrologie quantitative, la détection de défauts, la surveillance de processus, l'examen de défauts et l'inspection de circuits intégrés dans des tranches de semi-conducteur.