HIGH PRESSURE PLASMA INHIBITION

Methods of filling a gap with a dielectric material including using an inhibitor plasma during deposition. When the inhibitor plasma interacts with material in the feature, the material at the bottom of the feature receives less plasma treatment than material located closer to a top portion of the feature or in field. Deposition at the top of the feature is then selectively inhibited and deposition in lower portions of the feature proceeds with less inhibition or without being inhibited. As a result, bottom-up fill is enhanced, which can create a sloped profile that mitigates the seam effect and prevents void formation. In some embodiments, the inhibitor plasma is used at a higher pressure to increase the rate of inhibition, improving throughput. L'invention concerne des procédés de remplissage d'un espace avec un matériau diélectrique consistant à utiliser un plasma inhibiteur pendant le dépôt. Lorsque le plasma inhibiteur interagit avec le matériau dans l'élément, le matériau en bas de l'élément reçoit moins de traitement au plasma que le matériau situé plus près d'une partie supérieure de l'élément ou dans le champ. Le dépôt en haut de l'élément est ensuite sélectivement inhibé et le dépôt dans des parties inférieures de l'élément se poursuit avec moins d'inhibition ou sans être inhibé. Par conséquent, le remplissage de bas en haut est amélioré, pouvant créer un profil incliné qui atténue l'effet de ligne de soudure et empêche la formation de vides. Dans certains modes de réalisation, le plasma inhibiteur est utilisé à une pression plus élevée pour augmenter le taux d'inhibition, améliorant le débit.