SI MEMBRANE STRUCTURE USED TO PRODUCE PELLICLE, AND METHOD FOR PRODUCING PELLICLE

Provided is a Si membrane structure (10) with which, during etching to convert a pellicle film on a Si membrane into a self-supporting film, the breakage risk of the pellicle film can be reduced by dispersing the stress applied to the pellicle film due to residual Si. The Si membrane structure includes: a Si membrane (12); and a Si frame (14) provided along the outer circumference of one surface of the Si membrane. Uneven patterns and/or defective patterns are formed on the Si frame-side surface of the Si membrane so that a plurality of segments (S) individualized from one another are defined. L'invention concerne une structure de membrane en Si (10) avec laquelle, pendant une gravure pour convertir un film de pellicule sur une membrane en Si en un film autoportant, le risque de rupture du film de pellicule peut être réduit par la dispersion de la contrainte appliquée au film de pellicule en raison de Si résiduel. La structure de membrane en Si comprend : une membrane en Si (12) ; et un cadre en Si (14) ménagé le long de la circonférence externe d'une surface de la membrane en Si. Des motifs irréguliers et/ou des motifs défectueux sont formés sur la surface côté cadre en Si de la membrane en Si de telle sorte qu'une pluralité de segments (S) individualisés les uns des autres soient définis. Ｓｉメンブレン上のペリクル膜を自立膜化するエッチングの際に、残留Ｓｉに起因するペリクル膜にかかる応力を分散して、ペリクル膜の破損リスクを低減することが可能な、Ｓｉメンブレン構造体（１０）が提供される。このＳｉメンブレン構造体は、Ｓｉメンブレン（１２）と、Ｓｉメンブレンの一方の面の外周に沿って設けられるＳｉフレーム（１４）とを備える。ＳｉメンブレンのＳｉフレーム側の面には、互いに個別化された複数のセグメント（Ｓ）を画定するように凹凸パターン及び／又は欠陥パターンが施されている。