ISOTROPIC THERMAL ATOMIC LAYER ETCH OF ZIRCONIUM AND HAFNIUM OXIDES

ISOTROPIC THERMAL ATOMIC LAYER ETCH OF ZIRCONIUM AND HAFNIUM OXIDES

The disclosed and claimed subject matter relates to (1) a process for performing thermal atomic layer etching (ALE) of films that include ZrO2, HfO2, (Hf-Zr)O2 alloy or similar materials which does not require the use of plasmas or corrosive halogenating chemistries and (2) a metal-insulator-metal c...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: CHENG, Lanxia, ZOPE, Bhushan, MCBRIARTY, Martin E, HOANG, Son
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:The disclosed and claimed subject matter relates to (1) a process for performing thermal atomic layer etching (ALE) of films that include ZrO2, HfO2, (Hf-Zr)O2 alloy or similar materials which does not require the use of plasmas or corrosive halogenating chemistries and (2) a metal-insulator-metal capacitor (MIMcap) with unique properties enabled by a unique dielectric processing method. L'objet de l'invention divulgué et revendiqué se rapporte à (1) un procédé de réalisation d'une gravure de couche atomique thermique (ALE) de films qui comporte un alliage de ZrO2, HfO2, (Hf-Zr)O2 ou de matériaux similaires qui ne nécessitent pas l'utilisation de plasmas ou de produits chimiques d'halogénation corrosifs et à (2) un condensateur métal-isolant-métal (MIMcap) doté de propriétés uniques activées par un procédé de traitement diélectrique unique.