FORMING NS GATES WITH IMPROVED MECHANICAL STABILITY

A semiconductor device includes a first gate stack (60) disposed over an active region and a second gate stack (61) disposed over a shallow trench isolation (STI) region (12) such that the first gate stack is taller than the second gate stack. The second gate stack includes a plurality of gates formed over a non-active region. The nanosheet stacks in the active region include first inner spacers (42) and second inner spacers (44). The first inner spacers are vertically aligned with the second inner spacers. Further, the first inner spacers directly contact lower sidewalls of a source/drain epitaxial region (50) to isolate the second gate stack from the STI region. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un premier empilement de grilles (60) disposé sur une région active et un second empilement de grilles (61) disposé sur une région d'isolation par tranchées peu profondes (STI) (12) de telle sorte que le premier empilement de grilles est plus grand que le second empilement de grilles. Le second empilement de grilles comprend une pluralité de grilles formées sur une région non active. Les empilements de nanofeuilles dans la région active comprennent des premiers espaceurs internes (42) et des seconds espaceurs internes (44). Les premiers espaceurs internes sont alignés verticalement sur les seconds espaceurs internes. En outre, les premiers espaceurs internes entrent directement en contact avec des parois latérales inférieures d'une région épitaxiale de source/drain (50) pour isoler le second empilement de grilles de la région STI.