CONTROL OF ETCH PROFILES IN HIGH ASPECT RATIO HOLES VIA THERMAL ATOMIC LAYER ETCHING

Examples are disclosed that relate to thermal atomic layer etching of metal oxides. The method comprises heating a substrate comprising a metal oxide layer as a surface layer, and while heating the substrate, performing an atomic layer etching cycle. The atomic layer etching cycle comprises exposing the metal oxide layer to a fluorinating agent in the absence of a plasma to form a modified surface layer, the metal oxide comprising a group 4 or group 5 transition metal. The atomic layer etching cycle further comprises exposing the modified surface layer to a volatilizing agent in the absence of the plasma to volatilize the modified surface layer. Sont divulgués des exemples qui se rapportent à la gravure par couche atomique thermique d'oxydes métalliques. Le procédé comprend le chauffage d'un substrat comprenant une couche d'oxyde métallique en tant que couche de surface, et tout en chauffant le substrat, la réalisation d'un cycle de gravure de couche atomique. Le cycle de gravure de couche atomique comprend l'exposition de la couche d'oxyde métallique à un agent de fluoration en l'absence d'un plasma pour former une couche de surface modifiée, l'oxyde métallique comprenant un métal de transition du groupe 4 ou du groupe 5. Le cycle de gravure de couche atomique comprend en outre l'exposition de la couche de surface modifiée à un agent de volatilisation en l'absence du plasma pour volatiliser la couche de surface modifiée.