APPARATUS AND METHOD FOR DELIVERING A PLURALITY OF WAVEFORM SIGNALS DURING PLASMA PROCESSING
Embodiments of the present disclosure generally relate to a system used in a semiconductor device manufacturing process. More specifically, embodiments provided herein generally include apparatus and methods for synchronizing and controlling the delivery of an RF bias voltage signal and a pulsed vol...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Embodiments of the present disclosure generally relate to a system used in a semiconductor device manufacturing process. More specifically, embodiments provided herein generally include apparatus and methods for synchronizing and controlling the delivery of an RF bias voltage signal and a pulsed voltage waveform to one or more electrodes within a plasma processing chamber. Embodiments of the disclosure include a method and apparatus for synchronizing a pulsed radio frequency (RF) waveform to a pulsed voltage (PV) waveform, such that the pulsed RF waveform is on during a first stage of the PV waveform and off during a second stage. The first stage of the PV waveform includes a sheath collapse stage. The second stage of the PV waveform includes an ion current stage.
Des modes de réalisation de la présente divulgation concernent généralement un système utilisé dans un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur. Plus spécifiquement, des modes de réalisation comprennent généralement un appareil et des procédés pour synchroniser et commander la distribution d'un signal de tension de polarisation RF et d'une forme d'onde de tension pulsée à une ou à plusieurs électrodes à l'intérieur d'une chambre de traitement au plasma. Des modes de réalisation de la divulgation comprennent un procédé et un appareil pour synchroniser une forme d'onde de fréquence radio (RF) pulsée et une forme d'onde de tension pulsée (PV), de telle sorte que la forme d'onde RF pulsée est mise en marche pendant un premier étage de la forme d'onde PV et au cours d'un second étage. Le premier étage de la forme d'onde PV comprend un étage d'affaissement de gaine. Le second étage de la forme d'onde PV comprend un étage de courant ionique. |
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