LIGHT SOURCE, LIGHT SOURCE DEVICE, DRIVE METHOD FOR LIGHT SOURCE, RAMAN AMPLIFIER, AND RAMAN AMPLIFICATION SYSTEM

According to the present invention, a light source comprises: a seed light source that outputs incoherent seed light that has a prescribed band; and a booster amplifier that is a semiconductor optical amplifier that optically amplifies the seed light as inputted from a first end surface and outputs...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: FUNABASHI, Masaki, YOSHIDA, Junji, SUGIZAKI, Ryuichi, HOJO, Naoya, INABA, Yusuke, ICHINO, Seiji, KIMOTO, Tatsuya, TAKASAKA, Shigehiro, OGOSHI, Haruki, THUDSALINGKARNSAKUL, Nitidet, ANANTATHANASARN, Sanguan
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:According to the present invention, a light source comprises: a seed light source that outputs incoherent seed light that has a prescribed band; and a booster amplifier that is a semiconductor optical amplifier that optically amplifies the seed light as inputted from a first end surface and outputs the resulting amplified light from a second end surface. The product nL of the refractive index n and the chip length L of the booster amplifier is set such that the relative intensity noise (RIN) and the ripple of the amplified light are simultaneously suppressed. La présente invention concerne une source de lumière qui comprend : une source de lumière de base qui émet une lumière de base incohérente ayant une bande prescrite; et un amplificateur élévateur qui est un amplificateur optique à semi-conducteur qui amplifie optiquement la lumière de base provenant d'une première surface d'extrémité et émet la lumière amplifiée résultante à partir d'une seconde surface d'extrémité. Le produit nL de l'indice de réfraction n et de la longueur de puce L de l'amplificateur élévateur est défini de telle sorte que le bruit d'intensité relative (RIN) et l'ondulation de la lumière amplifiée soient simultanément supprimés. 光源は、所定の帯域を有するインコヒーレントなシード光を出力するシード光源と、第1端面から入力された前記シード光を光増幅し、増幅光として第2端面から出力する半導体光増幅器であるブースター増幅器と、を備え、前記ブースター増幅器は、前記増幅光において相対強度雑音(RIN)およびリップルが同時に抑制されるように、屈折率nとチップ長Lとの積であるnLが設定されている。