SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Provided is a semiconductor device which has a MOS gate structure and comprises: a semiconductor substrate; a first interlayer insulating film that is provided above the upper surface of the semiconductor substrate and that has a first opening; and a second interlayer insulating film that is laminated on the first interlayer insulating film and that has a second opening overlapping the first opening in a top view. The width of the first opening in a first direction is different from the width of the second opening in the first direction at the height of the boundary between the first interlayer insulating film and the second interlayer insulating film. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui a une structure de grille MOS et comprend : un substrat semi-conducteur ; un premier film isolant intercouche qui est disposé au-dessus de la surface supérieure du substrat semi-conducteur et qui a une première ouverture ; et un second film isolant intercouche qui est stratifié sur le premier film isolant intercouche et qui a une seconde ouverture chevauchant la première ouverture dans une vue de dessus. La largeur de la première ouverture dans une première direction est différente de la largeur de la seconde ouverture dans la première direction à la hauteur de la délimitation entre le premier film isolant intercouche et le second film isolant intercouche. ＭＯＳゲート構造を有する半導体装置であって、半導体基板と、半導体基板の上面の上方に設けられ、第１開口を有する第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜上に積層され、上面視において第１開口と重なる第２開口を有する第２層間絶縁膜とを備え、第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜の境界高さにおいて、第１方向における第１開口の幅と第１方向における第２開口の幅が異なる半導体装置を提供する。