METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC DEVICE

The invention relates to a method for manufacturing an optoelectronic device comprising a first zone (100) that comprises a plurality of three-dimensional (3D) structures and a second zone (200) that does not comprise said 3D structures, the method comprising at least: providing a substrate (1) that comprises a surface layer (2) allowing the nucleation and growth of the 3D structures; forming a buffer layer (4) that covers the substrate (1) in the second zone (200) without covering the first zone (100); growing the 3D structures (6) in the first zone (100) from the surface layer (2), said growth forming residues (7) on top of the buffer layer (4) in the second zone (200); and a first etching configured to remove the residues (7) and to stop in the buffer layer (4). L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant une première zone (100) comprenant une pluralité de structures tridimensionnelles (3D), et une deuxième zone (200) dépourvue desdites structures 3D, ledit procédé comprenant au moins une fourniture d'un substrat (1) comprenant une couche superficielle (2) permettant la nucléation et la croissance des structures 3D, une formation d'une couche tampon (4) couvrant le substrat (1) au niveau de la deuxième zone (200), sans couvrir la première zone (100), une croissance des structures 3D (6) dans la première zone (100) à partir de la couche superficielle (2), ladite croissance formant des résidus (7) au-dessus de la couche tampon (4), dans la deuxième zone (200), et une première gravure configurée pour éliminer les résidus (7) et pour s'arrêter dans la couche tampon (4).